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STGW60V60DF
IGBT, 80 A, 1.85 V, 375 W, 600 V, TO-247, 3 Broche(s)
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGW60V60DF
Code Commande2629741
Gamme de produitV
Fiche technique
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGW60V60DF
Code Commande2629741
Gamme de produitV
Fiche technique
Courant Collecteur Continu80A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.85V
Dissipation de puissance375W
Tension Collecteur Emetteur Max600V
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produitV
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
80A
Dissipation de puissance
375W
Type de boîtier de transistor
TO-247
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
V
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.85V
Tension Collecteur Emetteur Max
600V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00443
Traçabilité des produits