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STGWA40H65DFB2
IGBT, 72 A, 1.55 V, 230 W, 650 V, TO-247LL, 3 Broche(s)
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGWA40H65DFB2
Code Commande3387279
Gamme de produitHB2
Fiche technique
Plus stocké
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGWA40H65DFB2
Code Commande3387279
Gamme de produitHB2
Fiche technique
Courant Collecteur Continu72A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.55V
Dissipation de puissance230W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-247LL
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produitHB2
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
72A
Dissipation de puissance
230W
Type de boîtier de transistor
TO-247LL
Température de fonctionnement max..
175°C
Gamme de produit
HB2
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.55V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0061
Traçabilité des produits