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STGWA40HP65FB2
IGBT, 72 A, 1.55 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Broche(s)
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGWA40HP65FB2
Code Commande2987008
Gamme de produitHB2
Fiche technique
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|---|---|
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGWA40HP65FB2
Code Commande2987008
Gamme de produitHB2
Fiche technique
Courant Collecteur Continu72A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.55V
Dissipation de puissance227W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-247
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produitHB2
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
72A
Dissipation de puissance
227W
Type de boîtier de transistor
TO-247
Température de fonctionnement max..
175°C
Gamme de produit
HB2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.55V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00618