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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTH200N10WF7-2
Code Commande3879174
Gamme de produitSTripFET F7 Series
Fiche technique
631 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 6,210 € |
| 10+ | 4,760 € |
| 100+ | 3,850 € |
| 500+ | 3,420 € |
| 1000+ | 2,910 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTH200N10WF7-2
Code Commande3879174
Gamme de produitSTripFET F7 Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id180A
Résistance Drain-Source à l'état-ON3200µohm
Type de boîtier de transistorH2PAK
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4.5V
Dissipation de puissance340W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitSTripFET F7 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
180A
Type de boîtier de transistor
H2PAK
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
340W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
3200µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
STripFET F7 Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000007
Traçabilité des produits