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STH260N6F6-2
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 180 A, 1600 µohm, H2PAK-2, Montage en surface
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTH260N6F6-2
Code Commande2098252
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id180A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1600µohm
Type de boîtier de transistorH2PAK-2
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance300W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
180A
Type de boîtier de transistor
H2PAK-2
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
300W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1600µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00196
Traçabilité des produits