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STK615N4F8AG
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Montage en surface
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTK615N4F8AG
Code Commande4690214
Gamme de produitSTripFET F8 Series
Fiche technique
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTK615N4F8AG
Code Commande4690214
Gamme de produitSTripFET F8 Series
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id672A
Résistance Drain-Source à l'état-ON480µohm
Type de boîtier de transistorPowerLeaded 8x8
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance390W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitSTripFET F8 Series
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
672A
Type de boîtier de transistor
PowerLeaded 8x8
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
390W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
0
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
480µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
STripFET F8 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001