Imprimer la page
STP4NK60ZFP
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220FP, Traversant
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
1.778 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 2,000 € |
| 10+ | 0,878 € |
| 100+ | 0,859 € |
| 500+ | 0,757 € |
| 1000+ | 0,728 € |
| 5000+ | 0,713 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
2,00 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP4NK60ZFP
Code Commande1291985
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON2ohm
Type de boîtier de transistorTO-220FP
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.75V
Dissipation de puissance25W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
The STP4NK60ZFP is a 600V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- 100% Avalanche tested
- Very low intrinsic capacitance
- Zener-protected
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
4A
Type de boîtier de transistor
TO-220FP
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
25W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3.75V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004445
Traçabilité des produits