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STP80N10F7
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 80 A, 8500 µohm, TO-220AB, Traversant
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP80N10F7
Code Commande2807222
Gamme de produitDeepGATE STripFET VII
Fiche technique
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 2,570 € |
| 10+ | 1,840 € |
| 100+ | 1,630 € |
| 500+ | 1,400 € |
| 1000+ | 1,300 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP80N10F7
Code Commande2807222
Gamme de produitDeepGATE STripFET VII
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id80A
Résistance Drain-Source à l'état-ON8500µohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.5V
Dissipation de puissance110W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitDeepGATE STripFET VII
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produits de remplacement pour STP80N10F7
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
80A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
110W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
8500µohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
DeepGATE STripFET VII
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0023