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STP8N120K5
MOSFET de puissance, Canal N, 1.2 kV, 6 A, 1.65 ohm, TO-220, Traversant
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP8N120K5
Code Commande3367076
Gamme de produitMDmesh K5
Fiche technique
532 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 5,610 € |
| 5+ | 5,430 € |
| 10+ | 5,250 € |
| 50+ | 3,390 € |
| 100+ | 3,330 € |
| 250+ | 3,270 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP8N120K5
Code Commande3367076
Gamme de produitMDmesh K5
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..1.2kV
Courant de drain Id6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.65ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance130W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitMDmesh K5
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
6A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
130W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.65ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
MDmesh K5
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0019