Imprimer la page
STW11NK100Z
MOSFET de puissance, Canal N, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, Traversant
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW11NK100Z
Code Commande1468004
Gamme de produitSTW
Fiche technique
32.960 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 3,890 € |
| 10+ | 3,200 € |
| 100+ | 3,020 € |
| 500+ | 2,870 € |
| 1000+ | 2,810 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
3,89 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW11NK100Z
Code Commande1468004
Gamme de produitSTW
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds1kV
Courant de drain Id8.3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.38ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.75V
Dissipation de puissance230W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitSTW
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Aperçu du produit
Le STP80NF12 est un MOSFET de puissance à canal N, STripFET™ II, spécialement conçu pour minimiser la capacité d'entrée et la charge de la grille. Il convient comme commutateur principal pour les convertisseurs DC-DC isolés à haute efficacité et à haut rendement avancés pour les applications de télécommunications et informatiques. Il est également approprié pour toutes les applications avec des besoins de faible encombrement.
- Capacité dv/dt extrêmement élevée
- Test Avalanche 100%
- Charge de porte minimisée
- UVLO variable permet des seuils UVLO ajustables
- Très bonne répétabilité de fabrication
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
8.3A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
230W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tension Drain-Source Vds
1kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.38ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3.75V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
STW
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.010433