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STW12N120K5
MOSFET de puissance, Canal N, 1.2 kV, 12 A, 0.62 ohm, TO-247, Traversant
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW12N120K5
Code Commande3367079
Gamme de produitMDmesh K5
Fiche technique
588 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 8,770 € |
| 5+ | 8,590 € |
| 10+ | 8,400 € |
| 50+ | 5,230 € |
| 100+ | 4,710 € |
| 250+ | 4,640 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW12N120K5
Code Commande3367079
Gamme de produitMDmesh K5
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..1.2kV
Courant de drain Id12A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.62ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance250W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitMDmesh K5
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
12A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
250W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.62ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
MDmesh K5
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00443
Traçabilité des produits