Imprimer la page
STW12N150K5
MOSFET de puissance, Canal N, 1.5 kV, 7 A, 1.6 ohm, TO-247, Traversant
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW12N150K5
Code Commande3367080
Gamme de produitMDmesh K5
Fiche technique
6.486 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 8,340 € |
| 5+ | 8,290 € |
| 10+ | 8,240 € |
| 50+ | 4,660 € |
| 100+ | 4,510 € |
| 250+ | 4,350 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
8,34 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW12N150K5
Code Commande3367080
Gamme de produitMDmesh K5
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..1.5kV
Courant de drain Id7A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.6ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance250W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitMDmesh K5
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
STW12N150K5 is a N-channel MDmesh™ K5 power MOSFET. It is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. Suitable for switching applications.
- Industry’s lowest RDS(on) area, industry’s best figure of merit (FoM)
- Ultra low gate charge, 100% avalanche tested, Zener-protected
- 1500V min drain-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 1mA, TCASE = 25°C)
- 1µA max zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 1500V, TCASE = 25°C)
- 4V typ gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 100µA, TCASE = 25°C)
- 1.6ohm typ static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 3.5A, TCASE = 25°C)
- 1360pF typ input capacitance (VGS = 0V, VDS = 10 V, f = 1MHz, TCASE = 25°C)
- 80pF typ output capacitance (VGS = 0V, VDS = 10 V, f = 1MHz, TCASE = 25°C)
- 47nC typ total gate charge (VDD = 1200V, ID = 7A, VGS = 10V, TCASE = 25°C)
- TO-247 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
7A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
250W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
1.5kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.6ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
MDmesh K5
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00443