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STW36NM60ND
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 29 A, 0.097 ohm, TO-247, Traversant
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW36NM60ND
Code Commande2807326
Gamme de produitFDmesh II
Fiche technique
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| 50+ | 3,500 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW36NM60ND
Code Commande2807326
Gamme de produitFDmesh II
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id29A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.097ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance190W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitFDmesh II
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produits de remplacement pour STW36NM60ND
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
29A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
190W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.097ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
FDmesh II
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.006653
Traçabilité des produits