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STY105NM50N
MOSFET de puissance, Canal N, 500 V, 110 A, 0.019 ohm, MAX-247, Traversant
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTY105NM50N
Code Commande2807233
Gamme de produitMDmesh II
Fiche technique
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTY105NM50N
Code Commande2807233
Gamme de produitMDmesh II
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds500V
Courant de drain Id110A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.019ohm
Type de boîtier de transistorMAX-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance625W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitMDmesh II
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
110A
Type de boîtier de transistor
MAX-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
625W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tension Drain-Source Vds
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.019ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
MDmesh II
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.007221
Traçabilité des produits