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ESH1DM
Diode Fast / U, 200 V, 1 A, Une, 1.5 V, 25 ns, 15 A
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FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantESH1DM
Code Commande3772983RL
Gamme de produitESH1xM Series
Fiche technique
1.140 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 0,156 € |
| 500+ | 0,117 € |
| 1000+ | 0,0952 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
20,60 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantESH1DM
Code Commande3772983RL
Gamme de produitESH1xM Series
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive200V
Courant direct moyen1A
Configuration diodeUne
Tension directe max1.5V
Temps de redressement en inverse25ns
Courant de surtension vers l'avant15A
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de diodeMicroSMA
Nbre de broches2 broches
Gamme de produitESH1xM Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
200V
Configuration diode
Une
Temps de redressement en inverse
25ns
Température d'utilisation Max.
150°C
Nbre de broches
2 broches
Qualification
-
Courant direct moyen
1A
Tension directe max
1.5V
Courant de surtension vers l'avant
15A
Type de boîtier de diode
MicroSMA
Gamme de produit
ESH1xM Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits