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ESH2DFSH
Diode Fast / U, 200 V, 2 A, Une, 960 mV, 25 ns, 80 A
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| Quantité | |
|---|---|
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Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantESH2DFSH
Code Commande3772984RL
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive200V
Courant direct moyen2A
Configuration diodeUne
Tension directe max960mV
Temps de redressement en inverse25ns
Courant de surtension vers l'avant80A
Température de fonctionnement max..175°C
Type de boîtier de diodeSOD-128
Nbre de broches2 broches
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
200V
Configuration diode
Une
Temps de redressement en inverse
25ns
Température de fonctionnement max..
175°C
Nbre de broches
2 broches
Qualification
AEC-Q101
Courant direct moyen
2A
Tension directe max
960mV
Courant de surtension vers l'avant
80A
Type de boîtier de diode
SOD-128
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits