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SF32G
Diode Fast / U, 100 V, 3 A, Une, 950 mV, 35 ns, 125 A
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Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantSF32G
Code Commande2677302
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive100V
Courant direct moyen3A
Configuration diodeUne
Tension directe max950mV
Temps de redressement en inverse35ns
Courant de surtension vers l'avant125A
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de diodeDO-201AA
Nbre de broches2 broches
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
100V
Configuration diode
Une
Temps de redressement en inverse
35ns
Température d'utilisation Max.
150°C
Nbre de broches
2 broches
Qualification
-
Courant direct moyen
3A
Tension directe max
950mV
Courant de surtension vers l'avant
125A
Type de boîtier de diode
DO-201AA
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0012