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TQM250NB06DCR RLG
MOSFET double, Canal N, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
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Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantTQM250NB06DCR RLG
Code Commande3773034
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N60V
Tension drain source Vds, Canal P60V
Courant de drain continu Id, Canal N30A
Courant de drain continu Id, Canal P30A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.021ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.021ohm
Type de boîtier de transistorPDFN56U
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P58W
Dissipation de puissance, Canal P58W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
60V
Courant de drain continu Id, Canal P
30A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.021ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
58W
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
60V
Courant de drain continu Id, Canal N
30A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.021ohm
Type de boîtier de transistor
PDFN56U
Dissipation de puissance Canal P
58W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits