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2SK209-GR(TE85L,F)
Transistor JFET, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 broches, 125 °C
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FabricantTOSHIBA
Réf. Fabricant2SK209-GR(TE85L,F)
Code Commande3872216
Egalement appelé2SK209-GR, 2SK209-GR(TE85L
Fiche technique
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| Quantité | |
|---|---|
| 5+ | 0,515 € |
| 50+ | 0,380 € |
| 100+ | 0,269 € |
| 500+ | 0,205 € |
| 1500+ | 0,174 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. Fabricant2SK209-GR(TE85L,F)
Code Commande3872216
Egalement appelé2SK209-GR, 2SK209-GR(TE85L
Fiche technique
Tension de claquage Source Grille max.50V
Courant de drain de tension de Grille zéro max.14mA
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min1.2mA
Tension de coupure Source Grille max.1.5V
Type de boîtier de transistorTO-236
Nbre de broches3 broches
Type de transistorMOSFET
Température de fonctionnement max..125°C
Type de canalCanal N
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Tension de claquage Source Grille max.
50V
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min
1.2mA
Type de boîtier de transistor
TO-236
Type de transistor
MOSFET
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Courant de drain de tension de Grille zéro max.
14mA
Tension de coupure Source Grille max.
1.5V
Nbre de broches
3 broches
Température de fonctionnement max..
125°C
Montage transistor
Montage en surface
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits