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RFM04U6P(TE12L,F)
Transistor FET RF, 16 V, 2 A, 7 W, CMS
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantRFM04U6P(TE12L,F)
Code Commande3872262RL
Egalement appeléRFM04U6P, RFM04U6P(TE12L
Fiche technique
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| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 1,850 € |
| 500+ | 1,400 € |
| 1000+ | 1,260 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
190,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantRFM04U6P(TE12L,F)
Code Commande3872262RL
Egalement appeléRFM04U6P, RFM04U6P(TE12L
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds16V
Courant de drain Id2A
Dissipation de puissance7W
Fréquence d'utilisation Min.-
Dissipation de puissance Pd7W
Fréquence d'utilisation Max.-
Type de boîtier de transistorCMS
Nbre de broches3Broche(s)
Boîtier de transistor RFSMD
Température d'utilisation Max.150°C
Type de canalCanal N
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
16V
Dissipation de puissance
7W
Dissipation de puissance Pd
7W
Type de boîtier de transistor
CMS
Boîtier de transistor RF
SMD
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
Courant de drain Id
2A
Fréquence d'utilisation Min.
-
Fréquence d'utilisation Max.
-
Nbre de broches
3Broche(s)
Température d'utilisation Max.
150°C
Montage transistor
Montage en surface
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001