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TLP5814H(TP,E(O
Optocoupleur, 1 voie, SOIC, 8 Broche(s), 5 kVrms
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTLP5814H(TP,E(O
Code Commande4673383RL
Egalement appeléTLP5814H
Fiche technique
1.418 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 1,760 € |
| 500+ | 1,500 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 150
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTLP5814H(TP,E(O
Code Commande4673383RL
Egalement appeléTLP5814H
Fiche technique
Nbre de broches8Broche(s)
Tension, isolation5kVrms
Aperçu du produit
TLP5814H(TP,E(O is a highly integrated gate driver photocoupler (GaAℓAs infrared LED & photo IC). The TLP5814H consists of an infrared LED and an integrated high-gain, high-speed photodetector. Suitable for Photovoltaic (PV) inverters, industrial inverters, SiC-MOSFET gate drivers, IGBT gate drivers applications.
- Supply voltage range from 13 to 23V
- Supply current is 5mA (max)
- Peak miller clamp sinking current: 6.8A (max)
- Output peak current: +6.8A/-4.8A (max)
- Threshold input current is 3mA (max)
- Propagation delay time is 150ns (max)
- Common-mode transient immunity is ±70kV/µs (min)
- Isolation voltage is 5000Vrms (min)
- 8-pin SO8L package
- Operating temperature range from -40 to 125°C
Spécifications techniques
Nbre de broches
8Broche(s)
Tension, isolation
5kVrms
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85423911
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000203
Traçabilité des produits