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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPN1110ENH,L1Q(M
Code Commande4173225
Gamme de produitU-MOSVIII-H Series
Egalement appeléTPN1110ENH, TPN1110ENH,L1Q
Fiche technique
9.488 En Stock
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Quantité | |
---|---|
1+ | 1,500 € |
10+ | 1,040 € |
100+ | 0,705 € |
500+ | 0,569 € |
1000+ | 0,537 € |
5000+ | 0,446 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPN1110ENH,L1Q(M
Code Commande4173225
Gamme de produitU-MOSVIII-H Series
Egalement appeléTPN1110ENH, TPN1110ENH,L1Q
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds200V
Courant de drain Id13A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.096ohm
Type de boîtier de transistorTSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance39W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitU-MOSVIII-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
13A
Type de boîtier de transistor
TSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
39W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.096ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
U-MOSVIII-H Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00002
Traçabilité des produits