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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPN4R712MD,L1Q(M
Code Commande3872564
Egalement appeléTPN4R712MD, TPN4R712MD,L1Q
Fiche technique
17 En Stock
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Quantité | |
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1+ | 1,160 € |
10+ | 0,740 € |
100+ | 0,489 € |
500+ | 0,380 € |
1000+ | 0,316 € |
5000+ | 0,275 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPN4R712MD,L1Q(M
Code Commande3872564
Egalement appeléTPN4R712MD, TPN4R712MD,L1Q
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id36A
Résistance Drain-Source à l'état-ON3800µohm
Type de boîtier de transistorTSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1.2V
Dissipation de puissance42W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
36A
Type de boîtier de transistor
TSON
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
42W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
3800µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.2V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits