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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPN3R804NC,L1XHQ(O
Code Commande4294074
Gamme de produitU-MOSVIII Series
Egalement appeléXPN3R804NC, XPN3R804NC,L1XHQ
Fiche technique
4.945 En Stock
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Quantité | |
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1+ | 0,504 € |
10+ | 0,478 € |
100+ | 0,451 € |
500+ | 0,425 € |
1000+ | 0,398 € |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPN3R804NC,L1XHQ(O
Code Commande4294074
Gamme de produitU-MOSVIII Series
Egalement appeléXPN3R804NC, XPN3R804NC,L1XHQ
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id40A
Résistance Drain-Source à l'état-ON3800µohm
Type de boîtier de transistorTSON Advance
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance100W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitU-MOSVIII Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
40A
Type de boîtier de transistor
TSON Advance
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
100W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
3800µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
U-MOSVIII Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000029
Traçabilité des produits