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UJ4SC075006K4S
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUJ4SC075006K4S
Code Commande4221971
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id120A
Tension Drain-Source Vds750V
Résistance Drain-Source à l'état-ON5.9mohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches4Broche(s)
Tension de test Rds(on)12V
Tension de seuil Vgs Max6V
Dissipation de puissance714W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
120A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
5.9mohm
Nbre de broches
4Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
6V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
750V
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
12V
Dissipation de puissance
714W
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.008236