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BPW16N
Phototransistor, 825 nm, 40 °, 100 mW, 2 Broche(s), T-3/4 (1.8mm)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantBPW16N
Code Commande1612656
Fiche technique
Longueur d'onde typ.825nm
Angle, vision40°
Consommation de puissance100mW
Nbre de broches2Broche(s)
Type de boîtier de transistorT-3/4 (1.8mm)
Gamme de produit-
Normes Qualification Automobile-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
The BPW16N is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in clear, plastic package with flat window. It is sensitive to visible and near infrared radiation. On PCB this package size enables assembly of arrays with 2.54mm pitch. It is suitable for detector in electronic control and drive circuits.
- Leaded package
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response time
- ϕ = ±40° Angle of half sensitivity
Spécifications techniques
Longueur d'onde typ.
825nm
Consommation de puissance
100mW
Type de boîtier de transistor
T-3/4 (1.8mm)
Normes Qualification Automobile
-
Angle, vision
40°
Nbre de broches
2Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000118
Traçabilité des produits