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Quantité | |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantBPW85B
Code Commande1612662
Fiche technique
Longueur d'onde typ.850nm
Angle, vision25°
Consommation de puissance100mW
Nbre de broches2Broche(s)
Type de boîtier de transistorT-1 (3mm)
Gamme de produit-
Normes Qualification Automobile-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
- Phototransistor NPN au silicium dans un boîtier T-1 en plastique transparent
- Haute sensibilité photo et haute sensibilité radiante
- Convient pour un rayonnement visible et proche de l'infrarouge
- Temps de réponse rapide
- Angle de demi-sensibilité : ϕ = ± 25°
- Courant lumineux du collecteur 4mA max. à Ee = 1 mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
Spécifications techniques
Longueur d'onde typ.
850nm
Consommation de puissance
100mW
Type de boîtier de transistor
T-1 (3mm)
Normes Qualification Automobile
-
Angle, vision
25°
Nbre de broches
2Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000171
Traçabilité des produits