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IRF9Z10PBF
P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A
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| Quantité | |
|---|---|
| 1000+ | 0,686 € |
| 2500+ | 0,636 € |
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Multiple: 1000
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF9Z10PBF
Code Commande1771805
Fiche technique
Type de canalP Channel
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id6.7A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.5ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorThrough Hole
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance43W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Spécifications techniques
Type de canal
P Channel
Courant de drain Id
6.7A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
43W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.5ohm
Montage transistor
Through Hole
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002652
Traçabilité des produits