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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFP9140PBF
Code Commande9103589
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id21A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.2ohm
Type de boîtier de transistorTO-247AC
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance180W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
L'IRFP9140PBF est un MOSFET de puissance canal P de -100V. Ce MOSFET de puissance de troisième génération HEXFET® offre au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception robuste et de faible résistance.
- dV/dt dynamique
- Avalanche répétitive
- Mise en parallèle simple
- Nécessite un simple Driver
- Trou de montage central isolé
- Commutation rapide
- Température d'utilisation de 175°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
21A
Type de boîtier de transistor
TO-247AC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
180W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.2ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IRFP9140PBF
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.006