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IRFU320PBF
MOSFET de puissance, Canal N, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Traversant
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFU320PBF
Code Commande8650055
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds400V
Courant de drain Id3.1A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.8ohm
Type de boîtier de transistorTO-251AA
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance42W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
3.1A
Type de boîtier de transistor
TO-251AA
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
42W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
400V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.8ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IRFU320PBF
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits