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SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Montage en surface
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2301CDS-T1-GE3
Code Commande3879329
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id3.1A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.112ohm
Type de boîtier de transistorTO-236
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)2.5V
Tension de seuil Vgs Max400mV
Dissipation de puissance860mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
3.1A
Type de boîtier de transistor
TO-236
Tension de test Rds(on)
2.5V
Dissipation de puissance
860mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.112ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
400mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000052
Traçabilité des produits