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SI2302CDS-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Montage en surface
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| 1000+ | 0,181 € |
| 5000+ | 0,139 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2302CDS-T1-GE3
Code Commande1684049
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id2.9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.057ohm
Type de boîtier de transistorTO-236
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)8V
Tension de seuil Vgs Max850mV
Dissipation de puissance710mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le SI2302CDS-T1-GE3 est un MOSFET de puissance TrenchFET® canal N 20V destiné à être utilisé dans la commutation de charge pour les appareils portables.
- Tension grille-source ±8V
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
2.9A
Type de boîtier de transistor
TO-236
Tension de test Rds(on)
8V
Dissipation de puissance
710mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.057ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
850mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2302CDS-T1-GE3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000008