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SI2365EDS-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 5.9 A, 0.032 ohm, SOT-23, Montage en surface
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2365EDS-T1-GE3
Code Commande2679680
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id5.9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.032ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance1.7W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
5.9A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.7W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.032ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00002
Traçabilité des produits