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SI3469DV-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 6.7 A, 0.03 ohm, TSOP, Montage en surface
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3469DV-T1-GE3
Code Commande1852573
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id6.7A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.03ohm
Type de boîtier de transistorTSOP
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance1.14W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Produits de remplacement pour SI3469DV-T1-GE3
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
6.7A
Type de boîtier de transistor
TSOP
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.14W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.03ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000051