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SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 40 V, 7.2 A, 0.036 ohm, SOIC, Montage en surface
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
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| Quantité | |
|---|---|
| 2500+ | 0,219 € |
| 7500+ | 0,210 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
547,50 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4447ADY-T1-GE3
Code Commande4320185
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id7.2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.036ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.2V
Dissipation de puissance4.2W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
7.2A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
4.2W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.036ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.2V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000138
Traçabilité des produits