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SI4491EDY-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 25.8 A, 0.0054 ohm, SOIC, Montage en surface
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4491EDY-T1-GE3
Code Commande3772757
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id25.8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0054ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.8V
Dissipation de puissance6.9W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
25.8A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
6.9W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0054ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.8V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4491EDY-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits