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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7149ADP-T1-GE3
Code Commande2646390
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id50A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0052ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance48W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Convient aux interrupteurs de batterie, de charge et d'adaptateur, aux ordinateurs portables et aux batteries d'ordinateurs portables
- MOSFET de puissance TrenchFET®
- Faible résistance à l'état passant pour une faible chute de tension
- VGS étendu max. Évaluation: 25V
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
50A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
48W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0052ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI7149ADP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000283
Traçabilité des produits