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SI7540ADP-T1-GE3
MOSFET double, Complémentaire canal N et P, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7540ADP-T1-GE3
Code Commande2707201
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
121.272 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 2,150 € |
| 10+ | 1,380 € |
| 100+ | 0,952 € |
| 500+ | 0,703 € |
| 1000+ | 0,685 € |
| 5000+ | 0,572 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7540ADP-T1-GE3
Code Commande2707201
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Type de canalComplémentaire canal N et P
Tension Drain Source Vds, Canal N20V
Tension drain source Vds, Canal P20V
Courant de drain continu Id, Canal N8A
Courant de drain continu Id, Canal P8A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.0115ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.0115ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P1.6W
Dissipation de puissance, Canal P1.6W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
MOSFET canal N et P 20V (D-S) adapté pour une utilisation dans les convertisseurs DC/DC, le convertisseur abaisseur synchrone, le redresseur synchrone, l'interrupteur de charge et l'interrupteur d'entraînement du moteur.
- MOSFET de puissance TrenchFET®
- PowerPAK® thermiquement amélioré
- Testé à 100% Rg
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Complémentaire canal N et P
Tension drain source Vds, Canal P
20V
Courant de drain continu Id, Canal P
8A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.0115ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
1.6W
Gamme de produit
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
20V
Courant de drain continu Id, Canal N
8A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.0115ohm
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Dissipation de puissance Canal P
1.6W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001