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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI8424CDB-T1-E1
Code Commande2646397
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds8V
Courant de drain Id10A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.02ohm
Type de boîtier de transistorMICRO FOOT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max800mV
Dissipation de puissance2.7W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
10A
Type de boîtier de transistor
MICRO FOOT
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
2.7W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
8V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.02ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
800mV
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00006