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SI8472DB-T2-E1
MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 4.5 A, 0.036 ohm, MICRO FOOT, Montage en surface
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| 100+ | 0,190 € |
| 500+ | 0,175 € |
| 1000+ | 0,169 € |
| 5000+ | 0,163 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
24,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI8472DB-T2-E1
Code Commande3772795RL
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id4.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.036ohm
Type de boîtier de transistorMICRO FOOT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max900mV
Dissipation de puissance1.8W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
4.5A
Type de boîtier de transistor
MICRO FOOT
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.8W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.036ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
900mV
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001