Imprimer la page
SIA433EDJ-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 12 A, 0.018 ohm, PowerPAK SC-70, Montage en surface
3.000 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | |
|---|---|
| 3000+ | 0,212 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
636,00 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA433EDJ-T1-GE3
Code Commande2679708
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id12A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.018ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SC-70
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1.2V
Dissipation de puissance19W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le SIA433EDJ-T1-GE3 est un MOSFET de puissance à mode de renforcement, canal P TrenchFET® 20VDS, convient pour les applications de commutateur de charge, de batterie et de chargeur.
- Nouveau boîtier PowerPAK® thermiquement amélioré
- Empreinte petite surface
- Faible résistance "ON"
- Testé 100% Rg
- Protection ESD intégrée avec une diode Zener
- Performance ESD 1800V
- Sans halogène
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
12A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SC-70
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
19W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.018ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.2V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIA433EDJ-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits