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SIHD240N60E-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 12 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 500
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHD240N60E-GE3
Code Commande3019082RL
Gamme de produitE
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id12A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.24ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance78W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitE
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Produits de remplacement pour SIHD240N60E-GE3
4 produit(s) trouvé(s)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
12A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
78W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.24ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
E
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits