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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 1,970 € | 
| 10+ | 1,340 € | 
| 100+ | 0,947 € | 
| 500+ | 0,768 € | 
| 1000+ | 0,663 € | 
| 5000+ | 0,586 € | 
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHD690N60E-GE3
Code Commande3263503
Gamme de produitE
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id6.4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.7ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance62.5W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitE
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
6.4A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
62.5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.7ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
E
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIHD690N60E-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.005
Traçabilité des produits