Imprimer la page
Ces images sont uniquement fournies à titre d'illustration. Veuillez consulter la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR184DP-T1-RE3
Code Commande2846622RL
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
8.319 En Stock
18.000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison EXPRESS le jour ouvrable suivant
Commander avant 17:00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
Quantité | |
---|---|
100+ | 0,727 € |
500+ | 0,575 € |
1500+ | 0,503 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
77,70 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR184DP-T1-RE3
Code Commande2846622RL
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id73A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0058ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.4V
Dissipation de puissance62.5W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Conçu pour une conversion de puissance efficace dans les systèmes de plus de 150W avec une charge de grille et une capacité de sortie très faibles.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
73A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
62.5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0058ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.4V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000148
Traçabilité des produits