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SIR510DP-T1-RE3
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Montage en surface
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR510DP-T1-RE3
Code Commande3677856RL
Gamme de produitTrenchFET Gen V
Fiche technique
8.856 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 1,160 € |
| 500+ | 0,932 € |
| 1000+ | 0,916 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
121,00 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR510DP-T1-RE3
Code Commande3677856RL
Gamme de produitTrenchFET Gen V
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id126A
Résistance Rds(on)0.003ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON3000µohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance104W
Dissipation de puissance Pd104W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Gen V
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
Le MOSFET 100V (D-S), canal N dans le boîtier PowerPAK SO-8 est généralement utilisé dans les applications de redressement synchrone, de commutateur côté primaire, de convertisseur DC/DC, de commutateur OR et échangeable à chaud, d'alimentation, de contrôle d'entraînement de moteur et de gestion de batterie.
- MOSFET de puissance TrenchFET® Gen V
- Très faible Rds x Qi Figure de Mérite (FOM)
- Réglé pour un RDS le plus bas - Qoss FOM
- Testé à 100% Rg et UIS
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Rds(on)
0.003ohm
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
104W
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET Gen V
Normes Qualification Automobile
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
126A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
3000µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Dissipation de puissance Pd
104W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0005
Traçabilité des produits