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SIR871DP-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 100 V, 48 A, 0.02 ohm, SOIC, Montage en surface
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR871DP-T1-GE3
Code Commande3772835
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
4.784 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 1+ | 2,360 € |
| 10+ | 1,700 € |
| 100+ | 1,230 € |
| 500+ | 1,000 € |
| 1000+ | 0,980 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR871DP-T1-GE3
Code Commande3772835
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id48A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.02ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.6V
Dissipation de puissance89W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitThunderFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
48A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
89W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.02ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.6V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
ThunderFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits