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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA01DP-T1-GE3
Code Commande2846630RL
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
5.605 En Stock
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Quantité | |
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100+ | 0,740 € |
500+ | 0,585 € |
1500+ | 0,535 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
79,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA01DP-T1-GE3
Code Commande2846630RL
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id60A
Résistance Drain-Source à l'état-ON4900µohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.2V
Dissipation de puissance62.5W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
60A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
62.5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
4900µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.2V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIRA01DP-T1-GE3
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000074