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SIS590DN-T1-GE3
MOSFET double, Canal N et P, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS590DN-T1-GE3
Code Commande3765824RL
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
5.350 En Stock
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| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 0,560 € |
| 500+ | 0,407 € |
| 1000+ | 0,369 € |
| 5000+ | 0,316 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
61,00 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS590DN-T1-GE3
Code Commande3765824RL
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Type de canalCanal N et P
Tension Drain Source Vds, Canal N100V
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id4A
Tension drain source Vds, Canal P100V
Courant de drain continu Id, Canal N4A
Courant de drain continu Id, Canal P4A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.197ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.197ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P23.1W
Dissipation de puissance, Canal P23.1W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Les MOSFET 100V (D-S) à canaux N et P sont généralement utilisés dans des applications telles que les convertisseurs DC/DC, les pinces actives, les moteurs DC sans balais, les onduleurs AC/DC et les commutateurs de commande de moteur.
- MOSFET de puissance TrenchFET®
- PowerPAK® thermiquement amélioré
- Testé à 100% Rg
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N et P
Tension Drain-Source Vds
100V
Tension drain source Vds, Canal P
100V
Courant de drain continu Id, Canal P
4A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.197ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
23.1W
Gamme de produit
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain Source Vds, Canal N
100V
Courant de drain Id
4A
Courant de drain continu Id, Canal N
4A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.197ohm
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Dissipation de puissance Canal P
23.1W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0005
Traçabilité des produits