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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA35DN-T1-GE3
Code Commande3350742RL
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Fiche technique
8.190 En Stock
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Quantité | |
---|---|
100+ | 0,241 € |
500+ | 0,188 € |
1500+ | 0,165 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
29,10 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA35DN-T1-GE3
Code Commande3350742RL
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id16A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.019ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.2V
Dissipation de puissance24W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
16A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
24W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.019ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.2V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits