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SIZF4414DT-T1-GE3
MOSFET double, Canal double N, 40 V, 61.3 A, 0.0071 ohm
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| Quantité | |
|---|---|
| 100+ | 0,833 € |
| 500+ | 0,681 € |
| 1000+ | 0,615 € |
| 5000+ | 0,604 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
88,30 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZF4414DT-T1-GE3
Code Commande4644749RL
Fiche technique
Tension Drain Source Vds, Canal N40V
Courant de drain continu Id, Canal N61.3A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.0071ohm
Nbre de broches12Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P48.1W
Température d'utilisation Max.150°C
Spécifications techniques
Tension Drain Source Vds, Canal N
40V
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.0071ohm
Dissipation de puissance Canal P
48.1W
Courant de drain continu Id, Canal N
61.3A
Nbre de broches
12Broche(s)
Température d'utilisation Max.
150°C
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits